З 2 по 6 червня 2008 р. на базі Одеського національного університету імені І. І. Мечникова відбулась ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» (СЕМСТ-3).

Конференція проводилась під егідою Наукової ради НАН України з проблеми «Фізика напівпровідників і напівпровідникових приладів», Міністерства освіти і науки України, Українського фізичного товариства, Міністерства промислової політики України, Інституту фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Одеського національного університету імені І. І. Мечникова.

У конференції взяли участь понад 270 представників академічних установ, ВНЗ та науково-промислових організацій з усіх регіонів України, наукових установ та університетів з 14 країн: Албанії, Білорусі, Великої Британії, Італії, Молдови, Німеччини, Польщі, Російської Федерації, Сінгапуру, Угорщини, України, Фінляндії, Франції, Швеції.

Представлені за 13 науковими напрямами конференції доповіді охопили практично всі знакові аспекти сенсоріки – від фізичних, хімічних і біохімічних явищ до дослідження процесів деградації, питань метрології та сертифікації сенсорів. Було заслухано й обговорено 308 доповідей, з них 19 пленарних. У конференції взяли участь і виступили з доповідями чотири чл.-кор. НАНУ, один чл.-кор. РАН, понад 90 докторів наук і професорів з України і з закордону, у числі учасників були директори НДІ і ректори ВНЗ.

Програма конференції охопила широкий спектр наукових, технічних і технологічних проблем сенсорної електроніки і мікросистемних технологій як фундаментального так і прикладного характеру, пов’язаних з дослідженнями нових принципів побудови сенсорів, розробкою інформаційних систем, функціональних матеріалів і мікросистемних технологій.

Так, у доповіді члена-кореспондента НАНУ В. Г. Литовченка (Інститут фізики напівпровідників НАНУ, Київ) були розглянуті особливості процесів у галузі електронної техніки, що стрімко розвивається, – наноструктурованих системах, у яких за певних умов може відбуватися істотна зміна механізмів адсорбційних процесів, які є базовими для функціонування новітніх надчутливих сенсорів.

Доктор фізико-математичних наук М. В. Стріха зробив доповідь, присвячену теоретичним дослідженням нових фізичних характеристик, яких набувають традиційні вузькощілинні та безщілинні напівпровідники під дією одновісного стискування, що може мати важливе практичне застосування.

Не залишився непоміченим той факт, який нечасто зустрічається на наукових конференціях, – наукову доповідь зробив діючий заступник Міністра освіти і науки України. Цей факт говорить про те, що нарешті ключовим для держави Міністерством освіти і науки керують вчені, бо і сам міністр є відомим вченим, і це вселяє сподівання на те, що нинішнє керівництво МОН постарається домогтися змін у підтримці і розвитку науки в державі.

Директором Центру колективного користування приладами НАНУ при Інституті фізики, членом-кореспондентом НАНУ І. В. Блонським були продемонстровані нові результати досліджень із застосуванням сучасних методик часової спектроскопії параметрів поверхневих плазмонів в наночастинках благородних металів у фемто-пікосекундному часовому діапазоні.

Ряд пленарних доповідей були присвячені використанню акустоелектронних явищ у сенсоріці. Зокрема, у доповіді професора Я. І. Лепіха (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, співавтори – член-кореспондент НАНУ В. Ф. Мачулін, кандидат фізико-математичних наук Я. М. Оліх) було показано, що при поширенні поверхневих акустичних хвиль (ПАХ) у п’єзоелектриках, напівпровідниках, а особливо у шаруватих структурах, виникають незвичайні фізичні явища, які можуть бути використані також для створення сенсорів фізичних величин різного функціонального призначення. Фундаментальними факторами, які визначають переваги сенсорів на ПАХ над аналогами, побудованими на інших фізичних принципах, зокрема, є велика швидкість поширення акустичних хвиль, яка на п’ять порядків менше швидкості поширення електромагнітних хвиль; і доступність ПАХ для впливу на них на шляху їх поширення по поверхні твердого тіла.

У доповіді професора О. В. Медведя (ІРЕ РАН, Фрязіно, Росія) було показано, що ефекти, пов’язані з поширенням ПАХ у шаруватих структурах, можуть бути ефективно використані для створення нового покоління сенсорів газів. Були також продемонстровані успіхи в розробках селективних молекулярних приймачів завдяки створенню молекулярних матриць.

Питання визначення граничних параметрів приймачів випромінювання у різних спектральних діапазонах були розглянуті в оглядовій доповіді члена-кореспондента НАНУ Ф. Ф. Сизова (ІФН НАНУ)

Професор А. А. Косяченко (Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича) присвятив доповідь дослідженням підвищення параметрів детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання на основі одного з найбільш актуального напівпровідника – телуриду кадмію. Зазначено, що особливої уваги заслуговують детектори з бар’єром Шотткі на основі відносно низькоомного CdTe.

Досягнення і перспективи розвитку світловипромінюючих приладів на основі нанокристалів класу А₂В₆ були розглянуті у доповіді професора Д. В. Корбутяка (ІФН НАНУ) Показано, що, незважаючи на значний прогрес у розробці й використанні світлодіодів на основі p-n структур, у провідних лабораторіях і наукових центрах світу інтенсивно ведуться дослідження і розробки світловипромінюючих пристроїв на основі нанокристалів, головним чином А₂В₆.

Член-кореспондент РАН І. Г. Неізвестний (ІН РАН, Новосибірськ, Росія) в оглядовій доповіді «Нанотехнології у напівпровідникових сенсорах» показав, що використання нанотехнологій дозволяє кардинально зменшити розміри сенсорів за рахунок зменшення чутливого елемента до сотень і навіть одиниць нанометрів.

Доповіді науковців школи академіка Г. В. Єльської (ІБХ НАНУ, Київ), а також професора М. В. Стародуба підтвердили наявність суттєвого прогресу в розвитку досліджень і розробок біосенсорів в Україні.

Так, у доповіді, професора С. В. Дзядевича було розглянуто теоретичні основи кондуктометричного методу вимірювань і можливості цього методу при реєстрації перебігу ферментативних процесів. Наведені приклади використання перетворювачів при створенні біосенсорів і показані їх переваги у порівнянні з біосенсорами, побудованими на інших принципах.

Професор М. Ф. Стародуб (Інститут біохімії ім. О. В. Палладіна НАНУ) доповів про нові мультипараметричні мікроелектронні сенсори для медичної діагностики, біотехнології й моніторингу довкілля.

Професор V. Lantto (Microelectronics and Materials Physics Laboratory. University of Oulu, Finland) зробив доповідь, присвячену мікротехнології високотемпературного отримання наноструктурованих функціональних матеріалів, головним чином сегнетоелектриків і піроелектриків, у вигляді наноплівок і надграток для використання в електроніці взагалі і сенсориіці зокрема.

Отже, ІІІ Міжнародна науково-технічна конференція СЕМСТ-3 засвідчила, що в Україні сформувався й успішно розвивається як самостійний науково-технічний напрям – сенсорна електроніка, який інтегрує в собі найновіші досягнення матеріалознавства, напівпровідникової і функціональної електроніки, нанофізики й наноелектроніки, інформаційних систем та мікросистемних технологій. Саме від якості первинного інформаційного сигналу, який дає сенсор, залежить якість і надійність інформаційних систем різного призначення.

Під час роботи конференції був проведений «круглий стіл» на тему «Проблеми розвитку мікроелектроніки в Україні – стан і перспективи», у якому взяли участь представники НАНУ, МОН, Мінпромполітики з різних регіонів. Було ухвалено відповідне рішення, яке конференція вирішила разом з Ухвалою конференції направити у Президію НАНУ, МОН та Мінпромполітики з метою їх подальшого представлення керівництву держави.

Конференція засвідчила, що сенсорна електроніка є одним із пріоритетних і найважливіших у створенні й розвитку інформаційних систем науково-технічним напрямом, який може стати проривним для України в наукоємних галузях. Тому керівництву держави було б доцільно звернути на це увагу і знайти можливість підвищення рівня фінансування науково-дослідних і дослідно-конструкторських робіт в області сенсорної електроніки і мікросистемних технологій як стратегічно важливого науково-технічного напряму.

Я. І. ЛЕПІХ,
зав. НДЛ-3, професор